R6008FNX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6008FNX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.73 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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R6008FNX datasheet

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R6008FNX

10V Drive Nch MOSFET R6008FNX Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TO-220FM 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Fast reverse recovery time. 1.2 2) Low on-resistance. 1.3 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 0.8 (1) Gate 5) Drive circuits can be simple. 2.54 2.54 0.75 2.6 (2) Drain (1) (2) (3) 6) Parallel use is ea

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R6008FNX

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6008FNJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1) Fast reverse recovery time (trr) 1.24 2) Low on-resistance. 2.54 0.4 0.78 3) Fast switching speed. 2.7 5.08 (1) (2) (3) 4) Gate-source voltage VGSS garanteed to be 30V . 5) Drive circuits can be simple. 6) Parallel use is easy.

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R6008FNX

R6008ANX Nch 600V 8A Power MOSFET Datasheet Outline VDSS 600V TO-220FM RDS(on) (Max.) 0.8 ID 8A PD 50W (1)(2)(3) Features Inner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (3) Source 4) Drive circuits can be simple. *1 Body Diode 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead pla

Otros transistores... R5021ANX, R5205CND, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX, R6008FNJ, STP75NF75, R6010ANX, R6012ANJ, R6012ANX, R6012FNX, R6015ANJ, R6015ANX, R6015ANZ, R6015FNX