R6010ANX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6010ANX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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R6010ANX datasheet

 ..1. Size:1194K  rohm
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R6010ANX

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6010ANX Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Fast switching speed. 0.8 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (1) (2) (3) (3) Source 5) Parallel use is ea

 9.1. Size:2360K  rohm
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R6010ANX

R6010MNX Datasheet Nch 600V 10A Power MOSFET lOutline l VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.380 TO-220FM ID 10A PD 56W lInner circuit l lFeatures l 1) Fast reverse recovery time (trr). 2) Low on-resistance. 3) Fast switching speed. 4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 5) Drive circuits can be simple. 6) Pb-free p

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
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R6010ANX

isc N-Channel MOSFET Transistor R6010MNX FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 380m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... R5205CND, R5207AND, R6004CND, R6006AND, R6006ANX, R6008ANX, R6008FNJ, R6008FNX, 2N7002, R6012ANJ, R6012ANX, R6012FNX, R6015ANJ, R6015ANX, R6015ANZ, R6015FNX, R6018ANJ