R6010ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6010ANX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de MOSFET R6010ANX
R6010ANX Datasheet (PDF)
r6010anx.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R6010ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Fast switching speed.0.83) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V.(1) Gate2.54 2.54 0.75 2.64) Drive circuits can be simple. (2) Drain(1) (2) (3) (3) Source5) Parallel use is ea
r6010mnx.pdf
R6010MNXDatasheetNch 600V 10A Power MOSFETlOutlinelVDSS600VRDS(on)(Max.) 0.380 TO-220FMID 10APD56W lInner circuitllFeaturesl1) Fast reverse recovery time (trr).2) Low on-resistance.3) Fast switching speed.4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed tobe 30V.5) Drive circuits can be simple.6) Pb-free p
r6010mnx.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6010MNXFEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 380m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
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