R6010ANX Todos los transistores

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R6010ANX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6010ANX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 720 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.43 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FM

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R6010ANX Datasheet (PDF)

1.1. r6010anx.pdf Size:1194K _rohm

R6010ANX
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R6010ANX ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 ?3.2 4.5 2.8 ?Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Fast switching speed. 0.8 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. (1) Gate 2.54 2.54 0.75 2.6 4) Drive circuits can be simple. (2) Drain (1) (2) (3) (3) Source 5) Parallel use is easy. ? Appl

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