RCD100N20 Todos los transistores

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RCD100N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCD100N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428

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RCD100N20 Datasheet (PDF)

1.1. rcd100n20.pdf Size:1162K _rohm

RCD100N20
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Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCD100N20 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 ?Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 0.75 3) Wide range of SOA. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 4) Drive circuits can be simple. 2.3 0.5 1.0 5) Parallel use is easy. ? Application Switching ? Packaging specifications ?

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