RCX050N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCX050N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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RCX050N25 datasheet

 ..1. Size:1218K  rohm
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RCX050N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX050N25 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.3 2) Low input capacitance. 3) High ESD. 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Bulk Type Code - 1 Basic ordering un

 9.1. Size:405K  rohm
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RCX050N25

RCX051N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 250V TO-220FM RDS(on) (Max.) 1360mW ID 5.0A (3) PD 30W (1) (2) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) 100% Avalanche tested

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX050N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX051N25 FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.36 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... RCD040N25, RCD050N20, RCD060N25, RCD075N20, RCD080N25, RCD100N20, RCJ330N25, RCJ450N20, 5N60, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, RCX330N25, RCX450N20, RHK005N03