RCX050N25 Todos los transistores

 

RCX050N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RCX050N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

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RCX050N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1218K  rohm
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RCX050N25

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RCX050N25 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1) Low on-resistance.1.21.32) Low input capacitance.3) High ESD.0.82.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkTypeCode -1Basic ordering un

 9.1. Size:405K  rohm
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RCX050N25

RCX051N25 Nch 250V 5.0A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS250V TO-220FMRDS(on) (Max.)1360mWID5.0A(3) PD30W(1) (2) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant6) 100% Avalanche tested

 9.2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX050N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX051N25FEATURESDrain Current I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.36(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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History: EFC2J004NUZ | AUIRL3705NS | FHF12N60A | VB162KX | SM1A00NSW | HSP4048

 

 
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