RCX330N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RCX330N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.077 Ohm

Encapsulados: TO220FM

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RCX330N25 datasheet

 ..1. Size:1240K  rohm
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RCX330N25

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RCX330N25 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 2.8 Features 1.2 1) Low on-resistance. 1.3 2) Fast switching speed. 0.8 3) Gate-source voltage 2.54 2.54 0.75 2.6 VGSS garanteed to be 30V . (1) (2) (3) 4) High package power. Application Inner circuit Switching 1 Packagin

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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RCX330N25

isc N-Channel MOSFET Transistor RCX330N25 FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 105m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... RCJ330N25, RCJ450N20, RCX050N25, RCX080N20, RCX080N25, RCX120N20, RCX120N25, RCX160N20, IRF520, RCX450N20, RHK005N03, RHP020N06, RHP030N03, RJK005N03, RJP020N06, RK7002B, RMW130N03