RMW130N03 Todos los transistores

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RMW130N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RMW130N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 310 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: PSOP8

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RMW130N03 Datasheet (PDF)

1.1. rmw130n03.pdf Size:1116K _rohm

RMW130N03
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Data Sheet 4.5V Drive Nch MOSFET RMW130N03 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET PSOP8 (8) (7) (6) (5) ?Features 0~0.1 1) High Power package(PSOP8). 2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark (1) (2) (3) (4) 0.22 0.4 3) Low voltage drive(4.5V drive). 0.9 1.27 5.0 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Tapin

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