RMW150N03 Todos los transistores

 

RMW150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RMW150N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

RMW150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  rohm
 rmw150n03.pdf pdf_icon

RMW150N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW150N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive). 0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NCE65N260F | VBZE50P03 | IPB60R190C6 | FCH20N60

 

 
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