RMW150N03 Todos los transistores

 

RMW150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RMW150N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PSOP8
 

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RMW150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  rohm
 rmw150n03.pdf pdf_icon

RMW150N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW150N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive). 0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

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History: SSM9435K | FCP190N60 | IRFAC42 | STB9NK70Z | WMN80R1K5S | SR3400 | SRT045N060H

 

 
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