Справочник MOSFET. RMW150N03

 

RMW150N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMW150N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  rohm
 rmw150n03.pdf pdf_icon

RMW150N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW150N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive). 0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HGA053N06SL | IRFY140M | LSG60R650HT | AM2381P | VS8205BH | P2003BDG | NCE70N290F

 

 
Back to Top

 


 
.