Справочник MOSFET. RMW150N03

 

RMW150N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RMW150N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PSOP8
 

 Аналог (замена) для RMW150N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RMW150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  rohm
 rmw150n03.pdf pdf_icon

RMW150N03

Data Sheet4.5V Drive Nch MOSFETRMW150N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETPSOP8(8) (7) (6) (5)Features0~0.11) High Power package(PSOP8).2) High-speed switching,Low On-resistance. 1pin mark(1) (2) (3) (4)0.220.43) Low voltage drive(4.5V drive). 0.91.275.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... RCX450N20 , RHK005N03 , RHP020N06 , RHP030N03 , RJK005N03 , RJP020N06 , RK7002B , RMW130N03 , IRF730 , RMW180N03 , RMW200N03 , RMW280N03 , RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN .

History: CS12N06AE-G | TMU4N60H | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.