RP1E090XN Todos los transistores

 

RP1E090XN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1E090XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT6

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RP1E090XN Datasheet (PDF)

1.1. rp1e090xn.pdf Size:1066K _rohm

RP1E090XN
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Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RP1E090XN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET MPT6 (Single) (6) (5) (4) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) (3) 3) Small Surface Mount Package (MPT6). ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (piece

3.1. rp1e090rptr.pdf Size:286K _update_mosfet

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4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP  Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (MPT6). (1) (2) (3)  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000

3.2. rp1e090rp.pdf Size:288K _rohm

RP1E090XN
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4V Drive Pch MOSFET RP1E090RP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET MPT6 (6) (5) (4) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (MPT6). (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 1000 RP1E090RP ?

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