RP1H065SP Todos los transistores

 

RP1H065SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RP1H065SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6
 

 Búsqueda de reemplazo de RP1H065SP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RP1H065SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  rohm
 rp1h065sp.pdf pdf_icon

RP1H065SP

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RP1H065SP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

Otros transistores... RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , 2SK3918 , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP .

History: IRFD123PBF | PSMN013-60YL | HAT2183WP | 2N3993A

 

 
Back to Top

 


 
.