RP1H065SP Todos los transistores

 

RP1H065SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RP1H065SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6
 

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RP1H065SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  rohm
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RP1H065SP

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RP1H065SP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

Otros transistores... RP1A090ZP , RP1E070XN , RP1E075RP , RP1E090RP , RP1E090XN , RP1E100RP , RP1E100XN , RP1E125XN , 2SK3918 , RP1L055SN , RP1L080SN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RQ1A070ZP , RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP .

History: FDC640PF095 | AP3N3R3M | 4N90L-TF3T-T | IRFS7730 | SW2N60A1 | QN3107M6N | IPP60R170CFD7

 

 
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