RP1H065SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RP1H065SP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: MPT6

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RP1H065SP Datasheet (PDF)

1.1. rp1h065sp.pdf Size:1192K _rohm

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