RP1L055SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RP1L055SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: MPT6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RP1L055SN

RP1L055SN Datasheet (PDF)

..1. Size:1167K rohm
rp1l055sn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1L055SN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2) (3)3) Small Surface Mount Package (MPT6). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBasic order

9.1. Size:1186K rohm
rp1l080sn.pdf

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RP1L080SNStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETMPT6(Single)(6) (5) (4)Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.(1) (2) (3)3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.ApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TRBas

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: