RQ1E075XN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQ1E075XN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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RQ1E075XN datasheet

 ..1. Size:1239K  rohm
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RQ1E075XN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RQ1E075XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping

 8.1. Size:344K  rohm
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RQ1E075XN

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UE Application Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 300

 9.1. Size:388K  rohm
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RQ1E075XN

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping 2 Type Code TR (1) Source (2) Source Ba

 9.2. Size:577K  rohm
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RQ1E075XN

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 31mW (1) ID -5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). (4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea

Otros transistores... RP1L080SN, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, IRF3205, RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03