RQ1E075XN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQ1E075XN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для RQ1E075XN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQ1E075XN даташит

 ..1. Size:1239K  rohm
 rq1e075xn.pdf pdf_icon

RQ1E075XN

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RQ1E075XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) Package Taping

 8.1. Size:344K  rohm
 rq1e070rp.pdf pdf_icon

RQ1E075XN

4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UE Application Switching Inner circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pieces) 300

 9.1. Size:388K  rohm
 rq1e050rp.pdf pdf_icon

RQ1E075XN

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Inner circuit (8) (7) (6) (5) Packaging specifications Package Taping 2 Type Code TR (1) Source (2) Source Ba

 9.2. Size:577K  rohm
 rq1e050rptr.pdf pdf_icon

RQ1E075XN

RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET Datasheet lOutline (8) VDSS -30V (7) TSMT8 (6) (5) RDS(on) (Max.) 31mW (1) ID -5A (2) (3) PD 1.5W (4) lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8). (4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RP1L080SN, RQ1A060ZP, RQ1A070AP, RQ1A070ZP, RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, IRF3205, RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03