RQ1E075XN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RQ1E075XN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
RQ1E075XN Datasheet (PDF)
rq1e075xn.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRQ1E075XN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET TSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low on-resistance.(1) (2) (3) (4)2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT8).Abbreviated symbol : XR ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(8) (7) (6) (5)Package Taping
rq1e070rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RQ1E070RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2) (3) (4)3) 4V drive.Abbreviated symbol :UE ApplicationSwitching Inner circuit Packaging specifications(8) (7) (6) (5)Package TapingTypeCode TRBasic ordering unit (pieces) 300
rq1e050rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT8(8) (7) (6) (5)Features1) Low On-resistance.(1) (2) (3) (4)2) High power package.3) 4V drive.Abbreviated symbol :UD ApplicationSwitching Inner circuit(8) (7) (6) (5) Packaging specificationsPackage Taping2TypeCode TR(1) Source(2) SourceBa
rq1e050rptr.pdf
RQ1E050RP Pch -30V -5A Power MOSFET DatasheetlOutline(8) VDSS-30V (7) TSMT8(6) (5) RDS(on) (Max.)31mW(1) ID-5A(2) (3) PD1.5W(4) lFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT8).(4) Gate (8) Drain 4) Pb-free lea
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918