RRH050P03 Todos los transistores

 

RRH050P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRH050P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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RRH050P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  rohm
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RRH050P03

4V Drive Pch MOSFET RRH050P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code TBBasic ordering unit

Otros transistores... RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , IRF540 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 .

History: 5N65AF

 

 
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