RRH050P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRH050P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для RRH050P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRH050P03 даташит

 ..1. Size:173K  rohm
 rrh050p03.pdf pdf_icon

RRH050P03

4V Drive Pch MOSFET RRH050P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Each lead has same dimensions Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit

Другие IGBT... RQ1C065UN, RQ1C075UN, RQ1E050RP, RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, IRF540N, RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03