Справочник MOSFET. RRH050P03

 

RRH050P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRH050P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для RRH050P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRH050P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  rohm
 rrh050p03.pdf pdf_icon

RRH050P03

4V Drive Pch MOSFET RRH050P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Each lead has same dimensionsSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code TBBasic ordering unit

Другие MOSFET... RQ1C065UN , RQ1C075UN , RQ1E050RP , RQ1E070RP , RQ1E075XN , RQ1E100XN , RRF015P03 , RRH040P03 , IRF540 , RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.