RRH100P03 Todos los transistores

 

RRH100P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRH100P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

RRH100P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  rohm
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RRH100P03

4V Drive Pch MOSFET RRH100P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Each lead has same dimensionsApplication Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(8) (7) (6) (5)Type Code TBBasic ordering unit (p

 ..2. Size:294K  cn vbsemi
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RRH100P03

RRH100P03www.VBsemi.comP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop P

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History: MMD70R900PRH | BUK7Y153-100E | STB31L01 | 2SK1446 | VN2110 | 1N60G-TF2-T | IMW120R140M1H

 

 
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