RRH100P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRH100P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для RRH100P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRH100P03 даташит

 ..1. Size:187K  rohm
 rrh100p03.pdf pdf_icon

RRH100P03

4V Drive Pch MOSFET RRH100P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Each lead has same dimensions Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit (p

 ..2. Size:294K  cn vbsemi
 rrh100p03.pdf pdf_icon

RRH100P03

RRH100P03 www.VBsemi.com P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 22 nC 100 % Rg Tested 0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS Tested APPLICATIONS Load Switches S - Notebook PCs SO-8 - Desktop P

Другие IGBT... RQ1E070RP, RQ1E075XN, RQ1E100XN, RRF015P03, RRH040P03, RRH050P03, RRH075P03, RRH090P03, IRFP460, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, RRR040P03