RRR015P03 Todos los transistores

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RRR015P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRR015P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.115 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

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RRR015P03 Datasheet (PDF)

1.1. rrr015p03.pdf Size:299K _rohm

RRR015P03
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4V Drive Pch MOSFET RRR015P03 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 ?Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) 3) 4V drive. Abbreviated symbol : UJ ? Application Switching ? Inner circuit (3) ? Packaging specifications Package Taping Type Code TL ?2 Basic ordering unit (pieces) 3000 (1) RRR015P03 ? ?1 (2) (1) Gate (2

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