RRR015P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RRR015P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: TSMT3
Аналог (замена) для RRR015P03
RRR015P03 Datasheet (PDF)
rrr015p03.pdf

4V Drive Pch MOSFET RRR015P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT3Features(3)1) Low On-resistance.2) High power package.(1) (2)3) 4V drive.Abbreviated symbol : UJ ApplicationSwitching Inner circuit(3) Packaging specificationsPackage TapingTypeCode TL2Basic ordering unit (pieces) 3000(1)RRR015P03
Другие MOSFET... RRH075P03 , RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , IRFP260N , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 .
History: GP1M008A050XX
History: GP1M008A050XX



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor