RRR015P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRR015P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RRR015P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRR015P03 даташит

 ..1. Size:299K  rohm
 rrr015p03.pdf pdf_icon

RRR015P03

Другие IGBT... RRH075P03, RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, IRF640N, RRR030P03, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10