RRR030P03 Todos los transistores

 

RRR030P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRR030P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RRR030P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rrr030p03.pdf pdf_icon

RRR030P03

4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( )1 20.95 0.952) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.161.93) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : UA(3) Drain Applications Inner circuit Sw

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History: VS3625DP2-G | 2SK776 | VBFB2412 | NCV8402AD | STF20NM60D | SI8401DB | SM6A08NSFP

 

 
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