RRR030P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRR030P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT3

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RRR030P03 Datasheet (PDF)

1.1. rrr030p03.pdf Size:215K _rohm

4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.16 1.9 3) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol : UA (3) Drain Applications Inner circuit Switc

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Liste

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