RRR030P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RRR030P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RRR030P03

RRR030P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:215K rohm
rrr030p03.pdf

4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( )1 20.95 0.952) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.161.93) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : UA(3) Drain Applications Inner circuit Sw

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History: FJ4B0111 | IRFU210A

Liste

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