RRR030P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RRR030P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT3
Búsqueda de reemplazo de RRR030P03 MOSFET
Principales características: RRR030P03
rrr030p03.pdf
4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.16 1.9 3) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol UA (3) Drain Applications Inner circuit Sw
Otros transistores... RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , IRFP260N , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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