RRR030P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RRR030P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSMT3
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RRR030P03 Datasheet (PDF)
1.1. rrr030p03.pdf 
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4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.16 1.9 3) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol : UA (3) Drain Applications Inner circuit Switc
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