RRR030P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRR030P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RRR030P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRR030P03 даташит

 ..1. Size:215K  rohm
 rrr030p03.pdf pdf_icon

RRR030P03

4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 ( ) 3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 2) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.16 1.9 3) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbreviated symbol UA (3) Drain Applications Inner circuit Sw

Другие IGBT... RRH090P03, RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, IRFP260N, RRR040P03, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06