Справочник MOSFET. RRR030P03

 

RRR030P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRR030P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RRR030P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRR030P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rrr030p03.pdf pdf_icon

RRR030P03

4V Drive Pch MOSFET RRR030P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7( )3 Features 1) Low On-resistance ( ) ( )1 20.95 0.952) Space saving-small surface mount package (TSMT3) 0.161.93) 4V drive (1) Gate Each lead has same dimensions(2) SourceAbbreviated symbol : UA(3) Drain Applications Inner circuit Sw

Другие MOSFET... RRH090P03 , RRH100P03 , RRH140P03 , RRL025P03 , RRL035P03 , RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , 10N60 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 .

History: AP4569GH | NVA4001N | 2SK2063

 

 
Back to Top

 


 
.