RRR040P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRR040P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RRR040P03 datasheet

 ..1. Size:294K  rohm
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RRR040P03

4V Drive Pch MOSFET RRR040P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TSMT3). (1) (2) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UG Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 3000

 0.1. Size:2491K  rohm
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RRR040P03

RRR040P03FRA Datasheet Pch -30V -4A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-346T VDSS -30V SC-96 RDS(on)(Max.) 45m TSMT3 ID 4A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S Protection Diode 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 5) AEC-Q101 Qualified

 0.2. Size:867K  cn vbsemi
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RRR040P03

RRR040P03TL www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT

Otros transistores... RRH100P03, RRH140P03, RRL025P03, RRL035P03, RRQ030P03, RRQ045P03, RRR015P03, RRR030P03, AO3400, RSC002P03, RSD050N06, RSD050N10, RSD080N06, RSD080P05, RSD100N10, RSD140P06, RSD150N06