RSD050N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD050N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD050N06
RSD050N06 Datasheet (PDF)
rsd050n06.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ
rsd050n06fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specif
rsd050n06tl.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD050N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circ
rsd050n10.pdf
4V Drive Nch MOSFET RSD050N10Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner circuitPackage
rsd050n10fra.pdf
AEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD050N10FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Drive circuits can be simple. 3) Parallel use is easy. 9 ApplicationsSwitchingPackaging specifications
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History: TK13A25D | TF2323
Liste
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