RSD080N06 Todos los transistores

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RSD080N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD080N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.057 Ohm

Empaquetado / Estuche: CPT3_SC63_SOT428

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RSD080N06 Datasheet (PDF)

1.1. rsd080n06.pdf Size:1158K _rohm

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Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 ?Features 1) Low on-resistance. 2) 4V drive. 0.75 3) High power package(CPT3). 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit ?1 Package Taping Type Code TL Basic ordering

4.1. rsd080p05.pdf Size:1210K _rohm

RSD080N06
RSD080N06

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD080P05 ?Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package T

 

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