Справочник MOSFET. RSD080N06

 

RSD080N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD080N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
 

 Аналог (замена) для RSD080N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD080N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
rsd080n06.pdfpdf_icon

RSD080N06

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode T

 0.1. Size:1367K  rohm
rsd080n06fra.pdfpdf_icon

RSD080N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD080N06RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

 8.1. Size:1413K  rohm
rsd080p05fra.pdfpdf_icon

RSD080N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD080P05RSD080P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 8.2. Size:1210K  rohm
rsd080p05.pdfpdf_icon

RSD080N06

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD080P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

Другие MOSFET... RRQ030P03 , RRQ045P03 , RRR015P03 , RRR030P03 , RRR040P03 , RSC002P03 , RSD050N06 , RSD050N10 , IRFB4110 , RSD080P05 , RSD100N10 , RSD140P06 , RSD150N06 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSD200N05 , RSD200N10 .

History: PSMN5R8-30LL | 2SK2513 | HGT022N12S | DMP6110SSD | HUFA76437P3 | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.