Справочник MOSFET. RSD080N06

 

RSD080N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSD080N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428

 Аналог (замена) для RSD080N06

 

 

RSD080N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  rohm
 rsd080n06.pdf

RSD080N06 RSD080N06

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode T

 0.1. Size:1367K  rohm
 rsd080n06fra.pdf

RSD080N06 RSD080N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD080N06RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

 8.1. Size:1413K  rohm
 rsd080p05fra.pdf

RSD080N06 RSD080N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD080P05RSD080P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 8.2. Size:1210K  rohm
 rsd080p05.pdf

RSD080N06 RSD080N06

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD080P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top