RSD080P05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD080P05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: CPT3 SC63 SOT428
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD080P05
RSD080P05 Datasheet (PDF)
rsd080p05.pdf
Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD080P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir
rsd080p05fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD080P05RSD080P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack
rsd080n06.pdf
Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode T
rsd080n06fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD080N06RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit
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History: KUK7606-55B
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