Справочник MOSFET. RSD080P05

 

RSD080P05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD080P05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: CPT3 SC63 SOT428
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD080P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1210K  rohm
rsd080p05.pdfpdf_icon

RSD080P05

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD080P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

 0.1. Size:1413K  rohm
rsd080p05fra.pdfpdf_icon

RSD080P05

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD080P05RSD080P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 8.1. Size:1158K  rohm
rsd080n06.pdfpdf_icon

RSD080P05

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD080N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode T

 8.2. Size:1367K  rohm
rsd080n06fra.pdfpdf_icon

RSD080P05

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD080N06RSD080N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.2) 4V drive.0.753) High power package(CPT3).0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK2233 | IRFY9240CM | NTD4860N-1G | STU670S | 2SK2821 | SFF230Z | SSF13N50

 

 
Back to Top

 


 
.