RSE002N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSE002N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.5 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm
Empaquetado / Estuche: EMT3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSE002N06
RSE002N06 Datasheet (PDF)
1.1. rse002n06.pdf 
Size:182K _rohm
2.5V Drive Nch MOSFET RSE002N06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 0.3 0.55 ( ) 3 ?Features ( ) ( ) 2 1 1) High speed switing. 0.2 0.2 0.15 2) Small package(EMT3). 0.5 0.5 1.0 3) Low voltage drive(2.5V drive). (1)Source (2)Gate Abbreviated symbol : RK (3)Drain ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (3) P
4.1. rse002p03.pdf Size:62K _rohm
RSE002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSE002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 4V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : WP Switching Package specifications Inner circuit
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