RSE002N06 Todos los transistores

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RSE002N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSE002N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: EMT3

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RSE002N06 Datasheet (PDF)

1.1. rse002n06.pdf Size:182K _rohm

RSE002N06
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2.5V Drive Nch MOSFET RSE002N06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 0.3 0.55 ( ) 3 ?Features ( ) ( ) 2 1 1) High speed switing. 0.2 0.2 0.15 2) Small package(EMT3). 0.5 0.5 1.0 3) Low voltage drive(2.5V drive). (1)Source (2)Gate Abbreviated symbol : RK (3)Drain ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (3) P

4.1. rse002p03.pdf Size:62K _rohm

RSE002N06
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RSE002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSE002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 4V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : WP Switching Package specifications Inner circuit

 

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