RSJ400N06 Todos los transistores

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RSJ400N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ400N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: LPTS

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RSJ400N06 Datasheet (PDF)

1.1. rsj400n06.pdf Size:1173K _rohm

RSJ400N06
RSJ400N06

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 ?Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 3) High power Package 2.7 5.08 (1) (2) (3) ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping ?1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces) 1000 ?2 RSJ40

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