RSJ400N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSJ400N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: LPTS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSJ400N06
RSJ400N06 Datasheet (PDF)
rsj400n06.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.783) High power Package2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces
rsj400n06fra.pdf
Data SheetAEC-Q101 Qualified10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06RSJ400N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.783) High power Package2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCo
rsj400n10.pdf
RSJ400N10 Nch 100V 40A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS100V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)27mWID40A(1) PD50W (3) lFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead pl
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Liste
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