RSJ400N06 Todos los transistores

 

RSJ400N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSJ400N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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RSJ400N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1173K  rohm
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RSJ400N06

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.783) High power Package2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces

 0.1. Size:1347K  rohm
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RSJ400N06

Data SheetAEC-Q101 Qualified10V Drive Nch MOSFET RSJ400N06RSJ400N06FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.783) High power Package2.75.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCo

 7.1. Size:446K  rohm
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RSJ400N06

RSJ400N10 Nch 100V 40A Power MOSFET DatasheetlOutline(2) VDSS100V LPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)27mWID40A(1) PD50W (3) lFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead pl

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History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
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