RSJ450N04 Todos los transistores

 

RSJ450N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSJ450N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: LPTS
 

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RSJ450N04 Datasheet (PDF)

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RSJ450N04

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RSJ450N04 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.782.73) High power Package 5.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces)

Otros transistores... RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , SPP20N60C3 , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 .

History: HGP098N10A

 

 
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