RSJ450N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ450N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: LPTS

Аналог (замена) для RSJ450N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ450N04 даташит

 ..1. Size:1178K  rohm
 rsj450n04.pdf pdf_icon

RSJ450N04

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET RSJ450N04 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High current 2.54 0.4 0.78 2.7 3) High power Package 5.08 (1) (2) (3) Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping 1 Type Code TL Basic ordering unit (pieces)

Другие IGBT... RSF015N06, RSH065N06, RSH070N05, RSH070P05, RSJ10HN06, RSJ250P10, RSJ300N10, RSJ400N06, SKD502T, RSJ550N10, RSJ650N10, RSM002N06, RSM002P03, RSQ015N06, RSQ015P10, RSQ020N03, RSQ045N03