Справочник MOSFET. RSJ450N04

 

RSJ450N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ450N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: LPTS
 

 Аналог (замена) для RSJ450N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ450N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1178K  rohm
 rsj450n04.pdf pdf_icon

RSJ450N04

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET RSJ450N04 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETLPTS10.1 4.51.3Features1.241) Low on-resistance.2) High current2.54 0.40.782.73) High power Package 5.08(1) (2) (3) ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping1TypeCode TLBasic ordering unit (pieces)

Другие MOSFET... RSF015N06 , RSH065N06 , RSH070N05 , RSH070P05 , RSJ10HN06 , RSJ250P10 , RSJ300N10 , RSJ400N06 , IRF9540N , RSJ550N10 , RSJ650N10 , RSM002N06 , RSM002P03 , RSQ015N06 , RSQ015P10 , RSQ020N03 , RSQ045N03 .

History: AK8N60S | SM2317PSA | STI57N65M5 | IRF6720S2 | AUIRFB4615 | NDT6N65P | WMM10N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.