RSQ015N06 Todos los transistores

 

RSQ015N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSQ015N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RSQ015N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  rohm
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RSQ015N06

4V Drive Nch MOSFET RSQ015N06 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.85 1.90.95 0.95 0.7(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 0~0.12) Small Surface Mount Package (TSMT6). (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Abbreviated symbol : PX Application Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications Package T

 0.1. Size:618K  rohm
 rsq015n06tr.pdf pdf_icon

RSQ015N06

RSQ015N06 Nch 60V 1.5A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 60V(5) (4) RDS(on) (Max.)290mW(1) ID1.5A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit(1) Drain 1) Low on - resistance.(2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

 8.1. Size:1259K  rohm
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RSQ015N06

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSQ015P10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETTSMT6Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive(4V).3) Small surface mount package (TSMT6).Abbreviated symbol : ZN ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(6) (5) (4)TypeCode TR2Basic ordering unit (p

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History: KI2304DS | HSU80N03

 

 
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