RSU002N06 Todos los transistores

 

RSU002N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSU002N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3 SC70 SOT323
 

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RSU002N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  rohm
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RSU002N06

2.5V Drive Nch MOSFET RSU002N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3(SC-70)Features 1) High speed switing. 2) Small package(UMT3). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Application Switching Abbreviated symbol : RKPackaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T106Basic or

 8.1. Size:62K  rohm
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RSU002N06

RSU002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSU002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance 2) 4V drive (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : WP(3) Drain Packaging specifications Inner circuit P

 8.2. Size:60K  rohm
 rsu002p03t106.pdf pdf_icon

RSU002N06

RSU002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSU002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance 2) 4V drive (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : WP(3) Drain Packaging specifications Inner circuit P

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History: CJFB30H20 | IRFSZ45 | AOI514 | NTMFS4927N | CS5NB90 | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
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