RSU002P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSU002P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSU002P03

RSU002P03 Datasheet (PDF)

..1. Size:62K rohm
rsu002p03.pdf

RSU002P03 Transistors 4V Drive Pch MOSFET RSU002P03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET UMT32.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance 2) 4V drive (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : WP(3) Drain Packaging specifications Inner circuit P

0.1. Size:60K rohm
rsu002p03t106.pdf

8.1. Size:214K rohm
rsu002n06.pdf

2.5V Drive Nch MOSFET RSU002N06 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3(SC-70)Features 1) High speed switing. 2) Small package(UMT3). 3) Low voltage drive(2.5V drive). Application Switching Abbreviated symbol : RKPackaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T106Basic or

Otros transistores... RSQ020N03 , RSQ045N03 , RSR010N10 , RSR020N06 , RSR025N03 , RSR025N05 , RSR030N06 , RSU002N06 , HY1906P , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , RT1E050RP , RT1E060XN , RTF015N03 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: