RT1E050RP Todos los transistores

 

RT1E050RP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT1E050RP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: TSST8

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RT1E050RP datasheet

 ..1. Size:310K  rohm
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RT1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR 2 Basic ordering unit (pieces)

 9.1. Size:312K  rohm
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RT1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UG Application Switching Inner curcuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping 2 Type Code TR (1) Drain Basic ordering

 9.2. Size:1138K  rohm
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RT1E050RP

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSST8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (

Otros transistores... RSR030N06 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , 2SK3568 , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 .

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