RT1E050RP Todos los transistores

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RT1E050RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT1E050RP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSST8

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RT1E050RP Datasheet (PDF)

1.1. rt1e050rp.pdf Size:310K _rohm

RT1E050RP
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4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol :UD ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR ?2 Basic ordering unit (pieces) 3000 (1) Drain

5.1. rt1e040rp.pdf Size:312K _rohm

RT1E050RP
RT1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol : UG ? Application Switching ? Inner curcuit ? Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping ?2 Type Code TR (1) Drain Basic ordering unit (pieces) 300

5.2. rt1e060xn.pdf Size:1138K _rohm

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Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSST8). Abbreviated symbol : XR ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code

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