RT1E050RP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RT1E050RP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TSST8
Аналог (замена) для RT1E050RP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RT1E050RP даташит
rt1e050rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E050RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) High power package. 3) 4V drive. Abbreviated symbol UD Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TR 2 Basic ordering unit (pieces)
rt1e040rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RT1E040RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) (4) 3) 4V drive. Abbreviated symbol UG Application Switching Inner curcuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) Package Taping 2 Type Code TR (1) Drain Basic ordering
rt1e060xn.pdf
Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RT1E060XN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSST8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSST8). Abbreviated symbol XR Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (
Другие MOSFET... RSR030N06 , RSU002N06 , RSU002P03 , RT1A045AP , RT1A050ZP , RT1A060AP , RT1C060UN , RT1E040RP , 2SK3568 , RT1E060XN , RTF015N03 , RTF016N05 , RTF025N03 , RTL035N03 , RTQ020N03 , RTQ020N05 , RTQ035N03 .
History: AP03N40AP-HF | 2SK2793 | RUE002N02 | 4N70L-TF1-T | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN
History: AP03N40AP-HF | 2SK2793 | RUE002N02 | 4N70L-TF1-T | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360



