RTL035N03 Todos los transistores

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RTL035N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTL035N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT6

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RTL035N03 Datasheet (PDF)

1.1. rtl035n03.pdf Size:63K _rohm

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RTL035N03 Transistors 2.5V Drive Nch MOSFET RTL035N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (2.5V drive). Abbreviated symbol : PM Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR

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