RUF020N02 Todos los transistores

 

RUF020N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUF020N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3
 

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RUF020N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  rohm
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RUF020N02

1.5V Drive Nch MOSFET RUF020N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount Package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XK(3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2(1)Package Taping

 9.1. Size:105K  rohm
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RUF020N02

RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XE Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuitPacka

 9.2. Size:103K  ruichips
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RUF020N02

RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XE Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuitPacka

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History: WMS048NV6HG4 | TK50F15J1 | SM4012T9RL | AP2308GE | RUC002N05HZGT116 | BSC020N03MSG | 2SK1221

 

 
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