RUF020N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUF020N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: TUMT3
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RUF020N02 datasheet
ruf020n02.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RUF020N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount Package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XK (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 (1) Package Taping
ruf025n02.pdf
RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XE Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit Packa
ruf025n02tl.pdf
RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XE Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit Packa
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History: AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R
History: AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R
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