RUF025N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUF025N02
Código: XE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm
Empaquetado / Estuche: TUMT3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUF025N02
RUF025N02 Datasheet (PDF)
1.1. ruf025n02.pdf 
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RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol : XE Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit Package
5.1. ruf020n02.pdf Size:228K _rohm
1.5V Drive Nch MOSFET RUF020N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount Package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol : XK (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications ?2 (1) Package Taping Type
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