RUL035N02 Todos los transistores

 

RUL035N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUL035N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RUL035N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  rohm
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RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

 0.1. Size:100K  ruichips
 rul035n02tr.pdf pdf_icon

RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

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History: AP9585GH | WFY3N02 | APT904R2AN | IXFC16N80P | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | WFP5N60

 

 
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