RUL035N02 Todos los transistores

 

RUL035N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUL035N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RUL035N02 datasheet

 ..1. Size:102K  rohm
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RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

 0.1. Size:100K  ruichips
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RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol XD Applications Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code

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History: SUD19N20-90 | IPI111N15N3 | MEE7630-G | AOV11S60 | JCS10N65CT | 4N65L-TF1-T | HCFL65R210

 

 

 

 

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