RUL035N02 Todos los transistores

 

RUL035N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUL035N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de RUL035N02 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RUL035N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  rohm
 rul035n02.pdf pdf_icon

RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

 0.1. Size:100K  ruichips
 rul035n02tr.pdf pdf_icon

RUL035N02

RUL035N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUL035N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT6). 3) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XD ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code

Otros transistores... RU1E002SP , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , AON7403 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP .

History: MTP9435BDYQ8 | STI33N65M2 | MPSA65M180CFD | MPSW65M170 | FQI4P40TU | HGP020N10S | MTP9006E3

 

 
Back to Top

 


 
.