RUM002N02 Todos los transistores

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RUM002N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUM002N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: VMT3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUM002N02

 

RUM002N02 Datasheet (PDF)

1.1. rum002n02.pdf Size:214K _rohm

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1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3 MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce (3)Drain Abbreviated symbol : QR 1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Packag

2.1. rum002n05.pdf Size:172K _rohm

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1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET VMT3 ?Features 1) High speed switing. 2) Small package(VMT3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol : RH ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (3) Type Code T2L Basic ordering unit (pieces) 8000 ?1 RUM002N05 ? ?2 ? Abso

 

 

 5.1. rum003n02.pdf Size:100K _rohm

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RUM003N02 Transistor 1.8V Drive Nch MOSFET RUM003N02 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon N-channel VMT3 MOSFET Applications Switching (1)Base(IN)(Gate) Features (2)Emitter(GND)(Source) 1) Low on-resistance. (3)Collector(OUT)(Drain) Abbreviated symbol : QT 2) Fast switching speed. 3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for portable equipment. 4

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