Справочник MOSFET. RUM002N02

 

RUM002N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUM002N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: VMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUM002N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  rohm
 rum002n02.pdf pdf_icon

RUM002N02

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 0.1. Size:213K  ruichips
 rum002n02t2l.pdf pdf_icon

RUM002N02

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 6.1. Size:172K  rohm
 rum002n05.pdf pdf_icon

RUM002N02

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

 6.2. Size:170K  ruichips
 rum002n05t2l.pdf pdf_icon

RUM002N02

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: VS6018AS | DMP2021UFDF | SUN50A20CI | 2SK371 | VS4614AS-A | OSG70R350DTF | AP2764AP-A-HF

 

 
Back to Top

 


 
.