RUQ050N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUQ050N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: TSMT6
Búsqueda de reemplazo de RUQ050N02 MOSFET
RUQ050N02 Datasheet (PDF)
ruq050n02.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : XGPackaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code
ruq050n02tr.pdf
1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensions Abbreviated symbol : XGPackaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code
ruq050n02fra.pdf
AEC-Q101 Qualified1.5V Drive Nch MOSFET RUQ050N02RUQ050N02FRAStructure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TSMT6). 3) 1.5V drive ApplicationsSwitching Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : XGPackaging specificationsInner circuitPackage T
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History: SMK1430DI | RXH090N03
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