RVQ040N05 Todos los transistores

 

RVQ040N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RVQ040N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 21 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

 Búsqueda de reemplazo de RVQ040N05 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RVQ040N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  rohm
 rvq040n05.pdf pdf_icon

RVQ040N05

4V Drive Nch MOSFET RVQ040N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low On-resistance. 2) Space savingsmall surface mount package (TSMT6). 0~0.1 (1) (2) (3)1pin mark0.160.4Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QGSwitching Packaging specif

 0.1. Size:604K  rohm
 rvq040n05tr.pdf pdf_icon

RVQ040N05

RVQ040N05 Nch 45V 4A Power MOSFET DatasheetlOutline(6) VDSS TSMT6 45V(5) (4) RDS(on) (Max.)53mW(1) ID4A(2) PD1.25W(3) lFeatures lInner circuit(1) Drain 1) Low on - resistance.(2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6).(5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 E

Otros transistores... RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , HY1906P , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
Back to Top

 


 
.