RVQ040N05 Todos los transistores

 

RVQ040N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RVQ040N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 21 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RVQ040N05 datasheet

 ..1. Size:208K  rohm
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RVQ040N05

4V Drive Nch MOSFET RVQ040N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving small surface mount package (TSMT6). 0 0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol QG Switching Packaging specif

 0.1. Size:604K  rohm
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RVQ040N05

RVQ040N05 Nch 45V 4A Power MOSFET Datasheet lOutline (6) VDSS TSMT6 45V (5) (4) RDS(on) (Max.) 53mW (1) ID 4A (2) PD 1.25W (3) lFeatures lInner circuit (1) Drain 1) Low on - resistance. (2) Drain 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Gate (4) Source 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). (5) Drain (6) Drain 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 E

Otros transistores... RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , AOD4184A , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN .

History: AP10TN010CMT | SI2309CDS | XP161A1265PR-G | G18N20K | AOW10N60 | SMNY2Z30 | 2SK2551

 

 

 

 

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