RVQ040N05 Todos los transistores

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RVQ040N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RVQ040N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 45 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 21 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.038 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT6

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RVQ040N05 Datasheet (PDF)

1.1. rvq040n05.pdf Size:208K _rohm

RVQ040N05
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4V Drive Nch MOSFET RVQ040N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 2) Space saving?small surface mount package (TSMT6). ? 0~0.1 (1) (2) (3) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Applications Abbreviated symbol : QG Switching Packaging specification

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