RW1C025ZP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RW1C025ZP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: WEMT6
Búsqueda de reemplazo de RW1C025ZP MOSFET
RW1C025ZP Datasheet (PDF)
rw1c025zp.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : ZG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba
rw1c020un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3)Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging
rw1c026zp.pdf

RW1C026ZPDatasheetPch -20V -2.5A Middle Power MOSFETlOutlinel WEMT6VDSS-20VRDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD0.7W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (WEMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Haloge
rw1c015un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol : PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code T2RBasic ordering unit (pieces) 8000
Otros transistores... RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , IRF3205 , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 .
History: PHD9NQ20T | BUK9Y30-75B | FHU2N60A | LNC06R230
History: PHD9NQ20T | BUK9Y30-75B | FHU2N60A | LNC06R230



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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