RW1C025ZP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RW1C025ZP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для RW1C025ZP
RW1C025ZP Datasheet (PDF)
rw1c025zp.pdf

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1C025ZP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : ZG ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba
rw1c020un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C020UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, (1) (2) (3)Small Surface Mount Package (WEMT6). 4) Low voltage drive (1.5V drive). Abbreviated symbol : XK Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging
rw1c026zp.pdf

RW1C026ZPDatasheetPch -20V -2.5A Middle Power MOSFETlOutlinel WEMT6VDSS-20VRDS(on)(Max.) 70m ID 2.5A PD0.7W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (WEMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Haloge
rw1c015un.pdf

1.5V Drive Nch MOSFET RW1C015UN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. Low voltage drive. (1.5V) (1) (2) (3) Abbreviated symbol : PS Applications Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6) (5) (4)Type Code T2RBasic ordering unit (pieces) 8000
Другие MOSFET... RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , IRF3205 , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 .
History: QM3009K | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | AP62T03GH | QM3009S | SL2308
History: QM3009K | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | AP62T03GH | QM3009S | SL2308



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827