RW1E014SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RW1E014SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Encapsulados: WEMT6
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RW1E014SN datasheet
rw1e014sn.pdf
4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol PN Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6)
rw1e015rp.pdf
4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit mm) WEMT6 Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol UJ Switching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping 2 Type Code T2R 1 Basic orde
rw1e025rp.pdf
Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(4V) Abbreviated symbol UT Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2CR 2 Basic o
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History: 10N45
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