RW1E014SN Todos los transistores

 

RW1E014SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RW1E014SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: WEMT6

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RW1E014SN datasheet

 ..1. Size:176K  rohm
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RW1E014SN

4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol PN Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6)

 8.1. Size:221K  rohm
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RW1E014SN

4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit mm) WEMT6 Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol UJ Switching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping 2 Type Code T2R 1 Basic orde

 9.1. Size:1138K  rohm
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RW1E014SN

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(4V) Abbreviated symbol UT Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2CR 2 Basic o

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History: 10N45

 

 

 


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