RW1E015RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RW1E015RP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: WEMT6
Búsqueda de reemplazo de RW1E015RP MOSFET
RW1E015RP Datasheet (PDF)
rw1e015rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : UJSwitching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping 2Type Code T2R1Basic orde
rw1e014sn.pdf

4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : PNSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6)
rw1e025rp.pdf

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(4V)Abbreviated symbol : UT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (6) (5) (4)Type Code T2CR2Basic o
Otros transistores... RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , IRF840 , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 .
History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B
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Liste
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