RW1E015RP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RW1E015RP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: WEMT6
Аналог (замена) для RW1E015RP
RW1E015RP Datasheet (PDF)
rw1e015rp.pdf

4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : UJSwitching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping 2Type Code T2R1Basic orde
rw1e014sn.pdf

4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : PNSwitching Packaging specifications Inner circuit Package Taping(6)
rw1e025rp.pdf

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(4V)Abbreviated symbol : UT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (6) (5) (4)Type Code T2CR2Basic o
Другие MOSFET... RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , IRF840 , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 .
History: 2SJ174 | 2SK4067I | SSM2312GN | PNM523T703E0-2 | MVGSF1N03L | IRFSZ24 | PH3230S
History: 2SJ174 | 2SK4067I | SSM2312GN | PNM523T703E0-2 | MVGSF1N03L | IRFSZ24 | PH3230S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614