RW1E025RP Todos los transistores

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RW1E025RP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RW1E025RP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.055 Ohm

Empaquetado / Estuche: WEMT6

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RW1E025RP Datasheet (PDF)

1.1. rw1e025rp.pdf Size:1138K _rohm

RW1E025RP
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Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RW1E025RP ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) ?Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(4V) Abbreviated symbol : UT ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (6) (5) (4) Type Code T2CR ?2 Basic ordering unit (pie

5.1. rw1e015rp.pdf Size:221K _rohm

RW1E025RP
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4V Drive Pch MOSFET RW1E015RP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6 Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) Space saving, high power package. 3) Low voltage drive. (4V) (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : UJ Switching Inner circuit (6) (5) (4) Packaging specifications Package Taping ?2 Type Code T2R ?1 Basic ordering un

5.2. rw1e014sn.pdf Size:176K _rohm

RW1E025RP
RW1E025RP

4V Drive Nch MOSFET RW1E014SN Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance, High speed switching. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Space Saving, Small Surface Mount Package (WEMT6). (1) (2) (3) Applications Abbreviated symbol : PN Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (6) (5)

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